ISL6613ECB SOIC(EP) package
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Renesas Electronics

ISL6613ECB - Renesas Electronics Circuitos integrados de RF

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SKU: ISL6613ECB-SOIC-EP
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ISL6613ECB

26ns 2 10.8V 10ns 13.2V No inversor MOSFET, N 18ns 1.25A, 2A SOIC(EP) montaje superficial 4.98mm*3.99mm*1.55mm

Stock disponible: 302SOIC(EP)Obsoleto
FabricanteRenesas Electronics
PaqueteSOIC(EP)
Stock302
Empaque estándar1

Precios y pedidos

Precio unitario$0.8705

Información básica

Fabricante Renesas Electronics
Número de pieza del fabricante ISL6613ECB
Categoría de CI Circuitos integrados de RF
Paquete SOIC(EP)
Estado del ciclo de vida Obsoleto

Atributos técnicos

Programable No verificado
Configuración controlada Medio puente
Tipo de canal Síncrono
Número de controladores 2
Tipo de puerta MOSFET (canal N)
Voltaje - Suministro 10.8V ~ 13.2V
Voltaje de lógica - VIL, VIH -
Corriente - Salida de pico (fuente, sumidero) 1.25A, 2A
Tipo de entrada No inversor
Voltaje de lado alto - Máx (bootstrap) 36 V
Tiempo de subida / bajada (típ.) 26ns, 18ns
Temperatura de operación 0 degC ~ 125 degC (TJ)
Tipo de montaje Montaje superficial
Paquete / Caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Paquete del proveedor 8-SOIC-EP

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