CAT24C512WI-GT3 - onsemi Minne (IC-er)

In stock
Regular price $0.65
Volumrabatter
QuantityUnit Price
1+$0.64
10+$0.52
30+$0.47
100+$0.41
500+$0.28
1000+$0.26
Etter at du har lagt inn en bestilling, sender salgsteamet vårt skriftlig bekreftelse på den endelige prisen, fraktkostnader og estimert leveringstid. Importavgifter, skatter, megleravgifter og andre destinasjonsgebyrer er kundens ansvar. Ved behov kan vi bistå med tilgjengelig produktinformasjon og tolldokumenter for importdeklarasjon; endelig fortolling og betaling forblir kundens ansvar.

Integrert krets

CAT24C512WI-GT3

512Kbit 1.8V~5.5V 1MHz I2C SOIC-8 Minne (ICs) RoHS

På lager SOIC-8 normal
Stykkpris$0.6417
På lager
Produsentonsemi
PakkeSOIC-8
Lager11636
PakkeTape & Reel (TR)

Grunnleggende informasjon

Produsent onsemi
Produsentens delenummer CAT24C512WI-GT3
Beskrivelse 512Kbit 1.8V~5.5V 1MHz I2C SOIC-8 Minne (ICs) RoHS
IC-kategori Minne (ICs)
Pakke SOIC-8
Emballasje Tape & Reel (TR)
Standard pakkeantall 3000
Tilgjengelig lager 11636
Tilgjengelighet På lager
Livssyklusstatus normal

Nøkkelspesifikasjoner

Minne størrelse 512Kbit
Spenning - forsyning 1.8V~5.5V
Driftstemperatur -40℃~+85℃
Klokkefrekvens 1MHz
Aksesstid 3.5us;0.9us;0.4us
Egenskaper Maskinvare skrivebeskyttelsesfunksjon;Innebygd power-on reset (POR);Innebygd feilkorrigeringskode (ECC)-funksjon;Støyundertrykkelsesfunksjon
Datalagring - TDR (år) 100 år

Tekniske attributter

Strøm - forsyning 2.5mA
Skrivesyklustid (tWC) 5ms
Standby forsyningsstrøm 5uA
Skrivesyklus utholdenhet 1,000,000 sykluser
Grensesnitt I2C

Dokumenter & ingeniørressurser

Lagerbeholdning, ledetid og priser oppdateres jevnlig. Tekniske data er gitt for ingeniørreferanse.

Datablad PDF

Åpne datablad PDF

MANUFACTURER ACCESS

Manufacturers We Source

Browse frequently requested semiconductor and electronic component manufacturers, then search the catalog or submit an RFQ for the exact part you need.

From the desk

Recent Articles

Market signals, technical notes, and practical sourcing guidance for semiconductor procurement.

View all articles