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SI2302DDS-T1-GE3 da Vishay: Canal N 20 V 2,9A (Tj) 710mW (Ta) Montagem em superfície SOT-23-3 (TO-236). Fornecido em embalagem SOT-23.
| Quantidade | Preço unitário (USD) |
|---|---|
| 1 | $0.0493 |
| 3000 | $0.0437 |
| Fabricante | Vishay |
|---|---|
| Número de peça do fabricante | SI2302DDS-T1-GE3 |
| Categoria | MOSFET |
| Encapsulamento | SOT-23 |
| MOQ | 1 |
| Embalagem Padrão | 3000 |
| Estado do Ciclo de Vida | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
|---|---|
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensão dreno-fonte (Vdss) | 20 V |
| Corrente - dreno contínua (Id) @ 25 °C | 2.9A (Tj) |
| Tensão de acionamento (Rds On máx., Rds On mín.) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (máx.) @ Id, Vgs | 57mOhm @ 3.6A, 4.5V |
| Vgs(th) (máx.) @ Id | 850mV @ 250µA |
| Carga de porta (Qg) (máx.) @ Vgs | 5.5 nC @ 4.5 V |
| Vgs (máx.) | ±8V |
| Dissipação de potência (máx.) | 710mW (Ta) |
| Temperatura de Funcionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Encapsulamento do dispositivo do fornecedor | SOT-23-3 (TO-236) |
| Encapsulamento / Caixa | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
O inventário e os preços são atualizados regularmente. Os dados técnicos são fornecidos para referência de engenharia. A ficha técnica provém do fabricante original.
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