M393A4G43AB3-CWE - Samsung Memory Module

SKU: M393A4G43AB3-CWE-RDIMM-288

Request a Quote

M393A4G43AB3-CWE is a memory module from Samsung.

Manufacturer Samsung
Manufacturer Part Number M393A4G43AB3-CWE
Product Type Memory Module
Package RDIMM-288

Request a Quote for current pricing, order quantity, packaging, date code and delivery. Supplier availability will be confirmed with your quotation.

MANUFACTURER ACCESS

Manufacturers We Source

Browse frequently requested semiconductor and electronic component manufacturers, then search the catalog or submit an RFQ for the exact part you need.

From the desk

Recent Articles

Market signals, technical notes, and practical sourcing guidance for semiconductor procurement.

View all articles
RS-485 vs CAN: การเลือกฟิลด์บัส
Semiconductor insights

RS-485 vs CAN: การเลือกฟิลด์บัส

RS-485 เป็นเลเยอร์กายภาพ ส่วน CAN เพิ่มการอนุญาโตตุลาการและการจัดการข้อผิดพลาด ระยะทาง จำนวนโหนด และความเป็นดีเทอร์มินิสติกเป็นตัวกำหนดว่าตัวใดเหมาะสม

Read article
ตัวเก็บประจุด้านอินพุตของบัค: กระแส RMS, ริปเปิล และการลดพิกัด
Semiconductor insights

ตัวเก็บประจุด้านอินพุตของบัค: กระแส RMS, ริปเปิล และการลดพิกัด

ตัวเก็บประจุอินพุตของบั๊กต้องรองรับกระแสแบบพัลส์ ต้องกำหนดขนาดโดยพิจารณา RMS ริปเปิล และ DC-bias derating ก่อนเลือกชิ้นส่วน

Read article
การเลือกฟิวส์ PPTC: กระแสคงทนและการลดพิกัดตามอุณหภูมิแวดล้อม
Semiconductor insights

การเลือกฟิวส์ PPTC: กระแสคงทนและการลดพิกัดตามอุณหภูมิแวดล้อม

เลือก PPTC ที่อุณหภูมิแวดล้อมสูงสุด ไม่ใช่ที่ 25 C กระแสคงทน (hold current) เวลาทริป (trip time) และแรงดันตก (voltage drop) คือสิ่งที่ใช้ตัดสินใจเลือกชิ้นส่วน

Read article
การเลือก TVS: แรงดันสแตนด์ออฟ, แรงดันแคลมป์, กระแส, คาปาซิแตนซ์
Semiconductor insights

การเลือก TVS: แรงดันสแตนด์ออฟ, แรงดันแคลมป์, กระแส, คาปาซิแตนซ์

TVS ถูกเลือกโดยใช้ตัวเลขสี่ค่าตามลำดับเฉพาะ ได้แก่ ค่า standoff ที่สูงกว่าระดับแรงดันของราง ค่า clamp ที่ต่ำกว่าขีดจำกัดของ IC กระแสพีคที่เพียงพอ และค่าความจุที่เหมาะสมกับสัญญาณ

Read article
EEPROM vs Flash: ความทนทานของรอบการเขียน, ขนาดหน่วยการเขียน, เวลาในการเขียน
Semiconductor insights

EEPROM vs Flash: ความทนทานของรอบการเขียน, ขนาดหน่วยการเขียน, เวลาในการเขียน

ทั้งคู่เก็บข้อมูลได้แม้ไม่มีไฟเลี้ยง การเขียนทีละไบต์เทียบกับการลบทั้งเซกเตอร์ 1M เทียบกับ 100k รอบ และลักษณะภาระงานที่ตัดสินว่าตัวใดเหมาะกับดีไซน์

Read article
ตัวต้านทานเกตและการสูญเสียจากการสวิตช์: ชิ้นส่วนเดียว ผลสองด้าน
Semiconductor insights

ตัวต้านทานเกตและการสูญเสียจากการสวิตช์: ชิ้นส่วนเดียว ผลสองด้าน

Rg ค่าน้อยหมายถึงขอบสัญญาณเร็วและการริง; Rg ค่ามากหมายถึงขอบสัญญาณสะอาดและความร้อน เส้นทางไดโอดแบบแยก ค่าเริ่มต้น และวิธีวัดการสูญเสีย

Read article
คริสตัลหรือออสซิลเลเตอร์: การเลือกแหล่งกำเนิดสัญญาณนาฬิกา
Semiconductor insights

คริสตัลหรือออสซิลเลเตอร์: การเลือกแหล่งกำเนิดสัญญาณนาฬิกา

คริสตัลต้องมีวงจร ส่วนออสซิลเลเตอร์เป็นชิ้นส่วนสำเร็จรูป ระดับความแม่นยำ การเริ่มทำงาน จิตเตอร์ สิ่งที่เปลี่ยนแปลงบนบอร์ด และเมื่อใดที่เรโซเนเตอร์เพียงพอ

Read article