Si2308BDS-T1-GE3 - Vishay 60V N-kanaals MOSFET

In stock
SKU: SI2308BDS-T1-GE3-SOT-23-3
Regular price €0,95
Nadat u een bestelling heeft geplaatst, stuurt ons verkoopteam een ​​schriftelijke bevestiging van de uiteindelijke prijs, verzendkosten en geschatte levertijd. Invoerrechten, belastingen, makelaarskosten en andere bestemmingskosten zijn de verantwoordelijkheid van de klant. Indien nodig kunnen wij u helpen met beschikbare productinformatie en douanedocumenten voor aangifte ten invoer; de uiteindelijke inklaring en betaling blijven de verantwoordelijkheid van de klant.

Si2308BDS-T1-GE3

60V N-kanaals TrenchFET-vermogens-MOSFET voor batterijschakeling en DC-DC-conversie in een SOT-23-behuizing.

Beschikbare voorraad: 1590SOT-23-3 (TO-236)Verouderd
FabrikantVishay Siliconix
BehuizingSOT-23-3 (TO-236)
Voorraad1590
Eerste geoffreerde hoeveelheid10 pcs

Prijzen & bestellen

Eenheidsprijs (USD)$0.43
Aantal Geoffreerde eenheidsprijs (USD)
10+ $0.4275
100+ $0.3947
500+ $0.3782
1000+ $0.3683
2000+ $0.3618

Productinformatie

Fabrikantonderdeelnummer Si2308BDS-T1-GE3
Behuizing SOT-23-3 (TO-236)
Levenscyclusstatus Verouderd
Fabrikant Vishay Siliconix
FET-type N-kanaal
Drain-source-spanning (max) 60 V
Gate-source-spanning (max) +/-20 V
Doorlaatweerstand (max) 156 mOhm bij VGS=10 V, ID=1.9 A
Bedrijfsjunctietemperatuur -55 tot +150 deg C
Montagetype Oppervlaktemontage
Bestelstap 1 pcs
Minimale verpakkingseenheid leverancier 1 pcs
Datumcode 22+
Levertijd leverancier 7-9 werkdagen
Leveranciersofferte bijgewerkt 2026-10-17

Datablad

Datasheet PDF

Open PDF

MANUFACTURER ACCESS

Manufacturers We Source

Browse frequently requested semiconductor and electronic component manufacturers, then search the catalog or submit an RFQ for the exact part you need.

From the desk

Recent Articles

Market signals, technical notes, and practical sourcing guidance for semiconductor procurement.

View all articles