Si2308BDS-T1-GE3 - MOSFET de canal N de 60 V da Vishay

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SKU: SI2308BDS-T1-GE3-SOT-23-3
Regular price €0,95
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Si2308BDS-T1-GE3

MOSFET de potência TrenchFET de canal N de 60 V para comutação de bateria e conversão DC-DC em encapsulamento SOT-23.

Stock disponível: 1590SOT-23-3 (TO-236)Obsoleto
FabricanteVishay Siliconix
EncapsulamentoSOT-23-3 (TO-236)
Stock1590
Primeira Quantidade Cotada10 pcs

Preços e encomendas

Preço Unitário (USD)$0.43
Quantidade Preço Unitário Cotado (USD)
10+ $0.4275
100+ $0.3947
500+ $0.3782
1000+ $0.3683
2000+ $0.3618

Informação do Produto

Número de Peça do Fabricante Si2308BDS-T1-GE3
Encapsulamento SOT-23-3 (TO-236)
Estado do ciclo de vida Obsoleto
Fabricante Vishay Siliconix
Tipo de FET Canal N
Tensão dreno-fonte (máx.) 60 V
Tensão porta-fonte (máx.) +/-20 V
Resistência em estado ligado (máx.) 156 mOhm com VGS=10 V, ID=1,9 A
Temperatura de junção em funcionamento -55 a +150 °C
Tipo de montagem Montagem em superfície
Incremento de Encomenda 1 pcs
Embalagem Mínima do Fornecedor 1 pcs
Código de Data 22+
Prazo de Entrega do Fornecedor 7-9 dias úteis
Cotação do fornecedor atualizada 2026-10-17

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