Brand: FTR

Fujian Qiaoguang Electronic Technology Co., Ltd.

FTR Qiaoguang, founded in 2009, is a national high-tech enterprise specializing in R&D, production, and sales of overvoltage and overcurrent protection components. It has an advanced EMC laboratory and is committed to providing global customers with world-class overvoltage and overcurrent protection components and complete circuit protection solutions. FTR Qiaoguang has two production bases: one in Fujian and one in Dongguan. The Fujian plant covers 43 mu with a total investment of 230 million RMB; monthly capacity for all products is 480KK, including 240KK for varistor chips and finished products, making it a globally leading plant in delivery capability.

Official website

FTR logo
ขออภัย คอลเลกชันนี้ว่างเปล่า
ช้อปปิ้งต่อ

From the desk

Recent Articles

Market signals, technical notes, and practical sourcing guidance for semiconductor procurement.

View all articles
การเลือกฟิวส์ PPTC: กระแสคงทนและการลดพิกัดตามอุณหภูมิแวดล้อม
Semiconductor insights

การเลือกฟิวส์ PPTC: กระแสคงทนและการลดพิกัดตามอุณหภูมิแวดล้อม

เลือก PPTC ที่อุณหภูมิแวดล้อมสูงสุด ไม่ใช่ที่ 25 C กระแสคงทน (hold current) เวลาทริป (trip time) และแรงดันตก (voltage drop) คือสิ่งที่ใช้ตัดสินใจเลือกชิ้นส่วน

Read article
การเลือก TVS: แรงดันสแตนด์ออฟ, แรงดันแคลมป์, กระแส, คาปาซิแตนซ์
Semiconductor insights

การเลือก TVS: แรงดันสแตนด์ออฟ, แรงดันแคลมป์, กระแส, คาปาซิแตนซ์

TVS ถูกเลือกโดยใช้ตัวเลขสี่ค่าตามลำดับเฉพาะ ได้แก่ ค่า standoff ที่สูงกว่าระดับแรงดันของราง ค่า clamp ที่ต่ำกว่าขีดจำกัดของ IC กระแสพีคที่เพียงพอ และค่าความจุที่เหมาะสมกับสัญญาณ

Read article
EEPROM vs Flash: ความทนทานของรอบการเขียน, ขนาดหน่วยการเขียน, เวลาในการเขียน
Semiconductor insights

EEPROM vs Flash: ความทนทานของรอบการเขียน, ขนาดหน่วยการเขียน, เวลาในการเขียน

ทั้งคู่เก็บข้อมูลได้แม้ไม่มีไฟเลี้ยง การเขียนทีละไบต์เทียบกับการลบทั้งเซกเตอร์ 1M เทียบกับ 100k รอบ และลักษณะภาระงานที่ตัดสินว่าตัวใดเหมาะกับดีไซน์

Read article
ตัวต้านทานเกตและการสูญเสียจากการสวิตช์: ชิ้นส่วนเดียว ผลสองด้าน
Semiconductor insights

ตัวต้านทานเกตและการสูญเสียจากการสวิตช์: ชิ้นส่วนเดียว ผลสองด้าน

Rg ค่าน้อยหมายถึงขอบสัญญาณเร็วและการริง; Rg ค่ามากหมายถึงขอบสัญญาณสะอาดและความร้อน เส้นทางไดโอดแบบแยก ค่าเริ่มต้น และวิธีวัดการสูญเสีย

Read article
คริสตัลหรือออสซิลเลเตอร์: การเลือกแหล่งกำเนิดสัญญาณนาฬิกา
Semiconductor insights

คริสตัลหรือออสซิลเลเตอร์: การเลือกแหล่งกำเนิดสัญญาณนาฬิกา

คริสตัลต้องมีวงจร ส่วนออสซิลเลเตอร์เป็นชิ้นส่วนสำเร็จรูป ระดับความแม่นยำ การเริ่มทำงาน จิตเตอร์ สิ่งที่เปลี่ยนแปลงบนบอร์ด และเมื่อใดที่เรโซเนเตอร์เพียงพอ

Read article
การเลือกตัวเก็บประจุแบบดีคัปปลิง: ไบแอส, SRF, ระยะทาง
Semiconductor insights

การเลือกตัวเก็บประจุแบบดีคัปปลิง: ไบแอส, SRF, ระยะทาง

ตัวเก็บประจุ 10 uF ไม่ได้มีค่า 10 uF เมื่ออยู่ภายใต้แรงดัน และเหนือจุด self-resonance มันจะกลายเป็นตัวเหนี่ยวนำ ไดอิเล็กตริก, DC bias, SRF และมิลลิเมตรที่มีความสำคัญ

Read article
HDMI และ DisplayPort: บทนำเชิงปฏิบัติ
Semiconductor insights

HDMI และ DisplayPort: บทนำเชิงปฏิบัติ

ก่อนที่พิกเซลจะปรากฏ แหล่งสัญญาณต้องมี HPD และ EDID โดย Lanes, AC coupling, DDC/AUX และความล้มเหลวของ sideband เป็นสาเหตุเบื้องหลังรายงานไม่มีสัญญาณส่วนใหญ่

Read article