Why compare here
Compare density, speed grade, organization, interface, refresh requirements, and power.
Memory
DRAM & SRAM
memory dram sram
1105
catalog products
Category overview
Dynamic and static RAM devices for high-speed working memory and buffering.
Common applications
Processors, FPGAs, networking, displays, industrial control, and data acquisition.
Selection guide
Confirm memory organization, speed, voltage, timing, refresh, temperature, and package compatibility.
กรองหมวดหมู่นี้
Ironwood
107022-0048-78-BGA
107022-0048 - Ironwood วงจรรวมหน่วยความจำ
Ironwood
108493-0009-78-BGA
108493-0009 - Ironwood วงจรรวมหน่วยความจำ
Ironwood
108493-0014-BGA
108493-0014 - Ironwood วงจรรวมหน่วยความจำ
Microchip Technology
23A256-I-P-PDIP-8
23A256-I/P - Microchip Technology วงจรรวมหน่วยความจำ
Renesas Electronics
6116LA20SOG-SOIC-24
6116LA20SOG - Renesas Electronics วงจรรวมหน่วยความจำ
Renesas Electronics
6116LA35SO-SOIC-24
6116LA35SO - Renesas Electronics วงจรรวมหน่วยความจำ
Renesas Electronics
7005L20PFGI8-TQFP-64
7005L20PFGI8 - Renesas Electronics วงจรรวมหน่วยความจำ
Renesas Electronics
7026L15JG-PLCC-84
7026L15JG - Renesas Electronics วงจรรวมหน่วยความจำ
Renesas Electronics
70V05L20PFGI-QFP
70V05L20PFGI - Renesas Electronics วงจรรวมหน่วยความจำ
Renesas Electronics
70V3379S4PRFG-TQFP-128
70V3379S4PRFG - Renesas Electronics วงจรรวมหน่วยความจำ
Renesas Electronics
71024S12TYG-SOJ-32
71024S12TYG - Renesas Electronics วงจรรวมหน่วยความจำ
Renesas Electronics
71T016SA15PHGI-TSOP-44
71T016SA15PHGI - Renesas Electronics วงจรรวมหน่วยความจำ
Renesas Electronics
71T75902S75BGG-BGA
71T75902S75BGG - Renesas Electronics วงจรรวมหน่วยความจำ
From the desk
Recent Articles
Market signals, technical notes, and practical sourcing guidance for semiconductor procurement.
การจัดวาง W25Q32 SPI: การดีคัปปลิง ความยาวเส้นทาง และความล้มเหลวในการอ่าน
ทำไม W25Q32 จึงทำงานที่ 1 MHz ได้แต่ล้มเหลวที่ 50: ระยะห่างของตัวเก็บประจุ, SCK ความยาว 40 mm ที่ขอบสัญญาณ 1 ns และพิน /HOLD ที่ลอยอยู่ซึ่งเป็นสาเหตุเบื้องหลังรายงาน MISO แบบเงียบส่วนใหญ่
Read article
เลย์เอาต์ ESD ของ USBLC6: เส้นทางแคลมป์, การสติตช์กราวด์, สตับ
TVS clamp ที่ 31 V แต่เส้นทาง PCB ยาว 10 mm เพิ่มแรงดัน 240 V การวางตำแหน่งและเส้นทางกลับ ไม่ใช่หมายเลขอะไหล่ เป็นตัวกำหนดว่า IC จะรอดจาก ESD หรือไม่
Read article
การขับเกตของ 2N7002 ที่ 3.3 V: การกระจายของแรงดันขีดเริ่มและ RDS(on)
2N7002 ถูกเรียกว่าเป็นแบบ logic-level แต่ที่ 3.3 V มันเป็นสวิตช์ 20 mA: การกระจายตัวของ threshold กินส่วนเผื่อไว้ และ RDS(on) เพิ่มขึ้นประมาณสองเท่า นี่คือการคำนวณ
Read article
การเลือกไดโอด TVS และ ESD: แรงดันสแตนด์ออฟ, แรงดันแคลมป์, ความเร็ว
วิธีเลือกไดโอด TVS หรือ ESD: จับคู่แรงดันสแตนด์ออฟกับรางไฟ จับคู่แรงดันแคลมป์กับค่าสูงสุดสัมบูรณ์ของพิน และจับคู่ความจุกับความเร็วอินเทอร์เฟซ
Read article
การบริหารความร้อนและการตั้งค่ากระแสชาร์จของ TP4056
ตัวต้านทานหนึ่งตัวกำหนดกระแส แต่แรงดันอินพุตและทองแดงเป็นตัวกำหนดอุณหภูมิ การคำนวณ ตารางลดพิกัด และเหตุใด 1 A จึงมักกลายเป็น 0.5 A
Read article
How to Reduce Electronic Component Procurement Costs for EMS Production
The lowest IC unit price doesn't always mean the lowest procurement cost. Discover how EMS and PCBA buyers can evaluate landed costs, MOQ, reel packaging, BOM...
Read article
ตัวต้านทาน Pull-Up ของ I2C: แก้ไขข้อผิดพลาดที่ 100 kHz และ 400 kHz
คำนวณขีดจำกัด pull-up ของ I2C เข้าใจว่าทำไม 4.7 kOhm อาจล้มเหลวที่ 400 kHz และวินิจฉัยปัญหา pull-up ของโมดูลที่ต่อขนานกัน ขอบสัญญาณที่ช้า และข้อผิดพลาดเรื่องโดเมนแรงดัน
Read article
LM358 ทางเลือกทดแทน: ตารางเทียบรุ่น Op-Amp คู่
op-amp คู่ในงานออกแบบต้นทุนต่ำหนึ่งล้านแบบ: ทำไมช่วงอินพุตจึงกว้างกว่าช่วงเอาต์พุต และอะไรจะพังเมื่อคุณสลับเปลี่ยนมัน
Read article