Why compare here
Compare capacity, interface, write cycle endurance, retention, and programming method.
Memory
EEPROM & EPROM
memory eeprom eprom
1138
catalog products
Category overview
Electrically erasable and programmable non-volatile memory for configuration and data retention.
Common applications
Configuration storage, calibration, identification, firmware parameters, and legacy systems.
Selection guide
Check density, bus type, write timing, endurance, retention, address range, voltage, and package.
กรองหมวดหมู่นี้
Tudi
24LC128-I-P-DIP-8
24LC128-I/P - Tudi วงจรรวมหน่วยความจำ
Microchip Technology
24LC128-I-ST-TSSOP-8
24LC128-I/ST - Microchip Technology วงจรรวมหน่วยความจำ
Tudi
24LC128T-E-SN-SOP-8
24LC128T-E/SN - Tudi วงจรรวมหน่วยความจำ
Microchip Technology
24LC128T-E-SN16KVAO-SOIC-8
24LC128T-E/SN16KVAO - Microchip Technology วงจรรวมหน่วยความจำ
Microchip Technology
24LC128T-I-SM-SOIJ-8
24LC128T-I/SM - Microchip Technology วงจรรวมหน่วยความจำ
Microchip Technology
24LC128T-I-SN-SOIC-8
24LC128T-I/SN - Microchip Technology วงจรรวมหน่วยความจำ
Tudi
24LC128T-I-SN-SOP-8
24LC128T-I/SN - Tudi วงจรรวมหน่วยความจำ
Tudi
24LC128T-I-ST-TSSOP-8
24LC128T-I/ST - Tudi วงจรรวมหน่วยความจำ
Microchip Technology
24LC16B-I-SN-SOIC-8
24LC16B-I/SN - Microchip Technology วงจรรวมหน่วยความจำ
Microchip Technology
24LC16B-I-SNG-SOP
24LC16B-I/SNG - Microchip Technology วงจรรวมหน่วยความจำ
Microchip Technology
24LC16BT-I-OT-SOT-23-5
24LC16BT-I/OT - Microchip Technology วงจรรวมหน่วยความจำ
Microchip Technology
24LC16BT-I-SN-SOIC-8
24LC16BT-I/SN - Microchip Technology วงจรรวมหน่วยความจำ
Microchip Technology
24LC256-I-P-PDIP-8
24LC256-I/P - Microchip Technology วงจรรวมหน่วยความจำ
Tudi
24LC256-I-P-DIP-8
24LC256-I/P - Tudi วงจรรวมหน่วยความจำ
From the desk
Recent Articles
Market signals, technical notes, and practical sourcing guidance for semiconductor procurement.
การจัดวาง W25Q32 SPI: การดีคัปปลิง ความยาวเส้นทาง และความล้มเหลวในการอ่าน
ทำไม W25Q32 จึงทำงานที่ 1 MHz ได้แต่ล้มเหลวที่ 50: ระยะห่างของตัวเก็บประจุ, SCK ความยาว 40 mm ที่ขอบสัญญาณ 1 ns และพิน /HOLD ที่ลอยอยู่ซึ่งเป็นสาเหตุเบื้องหลังรายงาน MISO แบบเงียบส่วนใหญ่
Read article
เลย์เอาต์ ESD ของ USBLC6: เส้นทางแคลมป์, การสติตช์กราวด์, สตับ
TVS clamp ที่ 31 V แต่เส้นทาง PCB ยาว 10 mm เพิ่มแรงดัน 240 V การวางตำแหน่งและเส้นทางกลับ ไม่ใช่หมายเลขอะไหล่ เป็นตัวกำหนดว่า IC จะรอดจาก ESD หรือไม่
Read article
การขับเกตของ 2N7002 ที่ 3.3 V: การกระจายของแรงดันขีดเริ่มและ RDS(on)
2N7002 ถูกเรียกว่าเป็นแบบ logic-level แต่ที่ 3.3 V มันเป็นสวิตช์ 20 mA: การกระจายตัวของ threshold กินส่วนเผื่อไว้ และ RDS(on) เพิ่มขึ้นประมาณสองเท่า นี่คือการคำนวณ
Read article
การเลือกไดโอด TVS และ ESD: แรงดันสแตนด์ออฟ, แรงดันแคลมป์, ความเร็ว
วิธีเลือกไดโอด TVS หรือ ESD: จับคู่แรงดันสแตนด์ออฟกับรางไฟ จับคู่แรงดันแคลมป์กับค่าสูงสุดสัมบูรณ์ของพิน และจับคู่ความจุกับความเร็วอินเทอร์เฟซ
Read article
การบริหารความร้อนและการตั้งค่ากระแสชาร์จของ TP4056
ตัวต้านทานหนึ่งตัวกำหนดกระแส แต่แรงดันอินพุตและทองแดงเป็นตัวกำหนดอุณหภูมิ การคำนวณ ตารางลดพิกัด และเหตุใด 1 A จึงมักกลายเป็น 0.5 A
Read article
How to Reduce Electronic Component Procurement Costs for EMS Production
The lowest IC unit price doesn't always mean the lowest procurement cost. Discover how EMS and PCBA buyers can evaluate landed costs, MOQ, reel packaging, BOM...
Read article
ตัวต้านทาน Pull-Up ของ I2C: แก้ไขข้อผิดพลาดที่ 100 kHz และ 400 kHz
คำนวณขีดจำกัด pull-up ของ I2C เข้าใจว่าทำไม 4.7 kOhm อาจล้มเหลวที่ 400 kHz และวินิจฉัยปัญหา pull-up ของโมดูลที่ต่อขนานกัน ขอบสัญญาณที่ช้า และข้อผิดพลาดเรื่องโดเมนแรงดัน
Read article
LM358 ทางเลือกทดแทน: ตารางเทียบรุ่น Op-Amp คู่
op-amp คู่ในงานออกแบบต้นทุนต่ำหนึ่งล้านแบบ: ทำไมช่วงอินพุตจึงกว้างกว่าช่วงเอาต์พุต และอะไรจะพังเมื่อคุณสลับเปลี่ยนมัน
Read article