Why compare here
Compare density, interface, speed, endurance, retention, voltage, and package.
Memory
Memory
memory memory
434
catalog products
Category overview
Memory ICs for volatile and non-volatile data storage across embedded and computing systems.
Common applications
Embedded storage, firmware, buffers, data logging, industrial control, and consumer devices.
Selection guide
Start with density and interface, then validate speed, endurance, retention, voltage, timing, and package.
กรองหมวดหมู่นี้
Texas Instruments
SN74V273-6PZA-LQFP-80
SN74V273-6PZA - Texas Instruments วงจรรวมหน่วยความจำ
Texas Instruments
SN74V273-7PZA-QFP
SN74V273-7PZA - Texas Instruments วงจรรวมหน่วยความจำ
Texas Instruments
SN74V3670-10PEU-LQFP-128
SN74V3670-10PEU - Texas Instruments วงจรรวมหน่วยความจำ
Texas Instruments
SN74V3670-15PEU-LQFP-128
SN74V3670-15PEU - Texas Instruments วงจรรวมหน่วยความจำ
Texas Instruments
SN74V3690-6PEU-QFP
SN74V3690-6PEU - Texas Instruments วงจรรวมหน่วยความจำ
Texas Instruments
SNJ54ABT7819GB-CPGA-84
SNJ54ABT7819GB - Texas Instruments วงจรรวมหน่วยความจำ
Silicon Power
SP016GISDT5R5NE0
SP016GISDT5R5NE0 - Silicon Power วงจรรวมหน่วยความจำ
Silicon Power
SP256GISDT3R5NE0
SP256GISDT3R5NE0 - Silicon Power วงจรรวมหน่วยความจำ
SEMTECH
SX1280ED1ZHP
SX1280ED1ZHP - SEMTECH วงจรรวมและชิป
TDK
TDK-PMBUS-I2C-DONGLE
TDK-PMBus-I2C dongle - TDK วงจรรวมและชิป
Texas Instruments
THS4281EVM-Non-IC
THS4281EVM - Texas Instruments วงจรรวมและชิป
Texas Instruments
THS4531ADGKEVM-Non-IC
THS4531ADGKEVM - Texas Instruments วงจรรวมและชิป
Texas Instruments
TLK10002FPGAEVM-FPGA
TLK10002FPGAEVM - Texas Instruments
Texas Instruments
TMDSIDK437X-Non-IC
TMDSIDK437X - Texas Instruments วงจรรวมและชิป
From the desk
Recent Articles
Market signals, technical notes, and practical sourcing guidance for semiconductor procurement.
การจัดวาง W25Q32 SPI: การดีคัปปลิง ความยาวเส้นทาง และความล้มเหลวในการอ่าน
ทำไม W25Q32 จึงทำงานที่ 1 MHz ได้แต่ล้มเหลวที่ 50: ระยะห่างของตัวเก็บประจุ, SCK ความยาว 40 mm ที่ขอบสัญญาณ 1 ns และพิน /HOLD ที่ลอยอยู่ซึ่งเป็นสาเหตุเบื้องหลังรายงาน MISO แบบเงียบส่วนใหญ่
Read article
เลย์เอาต์ ESD ของ USBLC6: เส้นทางแคลมป์, การสติตช์กราวด์, สตับ
TVS clamp ที่ 31 V แต่เส้นทาง PCB ยาว 10 mm เพิ่มแรงดัน 240 V การวางตำแหน่งและเส้นทางกลับ ไม่ใช่หมายเลขอะไหล่ เป็นตัวกำหนดว่า IC จะรอดจาก ESD หรือไม่
Read article
การขับเกตของ 2N7002 ที่ 3.3 V: การกระจายของแรงดันขีดเริ่มและ RDS(on)
2N7002 ถูกเรียกว่าเป็นแบบ logic-level แต่ที่ 3.3 V มันเป็นสวิตช์ 20 mA: การกระจายตัวของ threshold กินส่วนเผื่อไว้ และ RDS(on) เพิ่มขึ้นประมาณสองเท่า นี่คือการคำนวณ
Read article
การเลือกไดโอด TVS และ ESD: แรงดันสแตนด์ออฟ, แรงดันแคลมป์, ความเร็ว
วิธีเลือกไดโอด TVS หรือ ESD: จับคู่แรงดันสแตนด์ออฟกับรางไฟ จับคู่แรงดันแคลมป์กับค่าสูงสุดสัมบูรณ์ของพิน และจับคู่ความจุกับความเร็วอินเทอร์เฟซ
Read article
การบริหารความร้อนและการตั้งค่ากระแสชาร์จของ TP4056
ตัวต้านทานหนึ่งตัวกำหนดกระแส แต่แรงดันอินพุตและทองแดงเป็นตัวกำหนดอุณหภูมิ การคำนวณ ตารางลดพิกัด และเหตุใด 1 A จึงมักกลายเป็น 0.5 A
Read article
How to Reduce Electronic Component Procurement Costs for EMS Production
The lowest IC unit price doesn't always mean the lowest procurement cost. Discover how EMS and PCBA buyers can evaluate landed costs, MOQ, reel packaging, BOM...
Read article
ตัวต้านทาน Pull-Up ของ I2C: แก้ไขข้อผิดพลาดที่ 100 kHz และ 400 kHz
คำนวณขีดจำกัด pull-up ของ I2C เข้าใจว่าทำไม 4.7 kOhm อาจล้มเหลวที่ 400 kHz และวินิจฉัยปัญหา pull-up ของโมดูลที่ต่อขนานกัน ขอบสัญญาณที่ช้า และข้อผิดพลาดเรื่องโดเมนแรงดัน
Read article
LM358 ทางเลือกทดแทน: ตารางเทียบรุ่น Op-Amp คู่
op-amp คู่ในงานออกแบบต้นทุนต่ำหนึ่งล้านแบบ: ทำไมช่วงอินพุตจึงกว้างกว่าช่วงเอาต์พุต และอะไรจะพังเมื่อคุณสลับเปลี่ยนมัน
Read article