Why compare here
Compare density, interface, speed, endurance, retention, voltage, and package.
Memory
Memory
memory memory
434
catalog products
Category overview
Memory ICs for volatile and non-volatile data storage across embedded and computing systems.
Common applications
Embedded storage, firmware, buffers, data logging, industrial control, and consumer devices.
Selection guide
Start with density and interface, then validate speed, endurance, retention, voltage, timing, and package.
กรองหมวดหมู่นี้
Analog Devices
DS1250Y-70IND-EDIP-32
DS1250Y-70IND+ - Analog Devices วงจรรวมหน่วยความจำ
Analog Devices
DS1554WP-120IND
DS1554WP-120IND- - Analog Devices วงจรรวมและชิป
EDATEC
ED-LENS-M12-180250-08
ED-LENS-M12-180250-08 - EDATEC วงจรรวมและชิป
Etron Technology
EM6GA16LBXA-12H-FBGA
EM6GA16LBXA-12H - Etron Technology วงจรรวมหน่วยความจำ
EXASCEND
EXPC3EA360GB
EXPC3EA360GB - EXASCEND วงจรรวมหน่วยความจำ
Lexar
FC8MC0032G-I
FC8MC0032G-I - Lexar วงจรรวมหน่วยความจำ
FLEXXON
FDMS256GEC-5700
FDMS256GEC-5700 - FLEXXON วงจรรวมหน่วยความจำ
FORESEE
FEMDNN008G-C9A39
FEMDNN008G-C9A39 - FORESEE วงจรรวมและชิป
FORESEE
FEMDNN032G-A3A55
FEMDNN032G-A3A55 - FORESEE วงจรรวมและชิป
FORESEE
FEMDNN064G-C9A61
FEMDNN064G-C9A61 - FORESEE วงจรรวมและชิป
FORESEE
FEMDNN128G-A3V01
FEMDNN128G-A3V01 - FORESEE วงจรรวมและชิป
FORESEE
FEMDNN128G-C9C76
FEMDNN128G-C9C76 - FORESEE วงจรรวมและชิป
Cypress Semiconductor
FM25040B-G-SOIC-8
FM25040B-G - Cypress Semiconductor วงจรรวมหน่วยความจำ
Cypress Semiconductor
FM25040B-GA-SOIC-8
FM25040B-GA - Cypress Semiconductor วงจรรวมหน่วยความจำ
Infineon Technologies
FM25640B-G-SOIC-8
FM25640B-G - Infineon Technologies วงจรรวมหน่วยความจำ
Flip Electronics
FM25640B-G2-SOIC-8
FM25640B-G2 - Flip Electronics วงจรรวมหน่วยความจำ
Cypress Semiconductor
FM25640B-G2TR-SOIC-8
FM25640B-G2TR - Cypress Semiconductor วงจรรวมหน่วยความจำ
From the desk
Recent Articles
Market signals, technical notes, and practical sourcing guidance for semiconductor procurement.
เลย์เอาต์ ESD ของ USBLC6: เส้นทางแคลมป์, การสติตช์กราวด์, สตับ
TVS clamp ที่ 31 V แต่เส้นทาง PCB ยาว 10 mm เพิ่มแรงดัน 240 V การวางตำแหน่งและเส้นทางกลับ ไม่ใช่หมายเลขอะไหล่ เป็นตัวกำหนดว่า IC จะรอดจาก ESD หรือไม่
Read article
การขับเกตของ 2N7002 ที่ 3.3 V: การกระจายของแรงดันขีดเริ่มและ RDS(on)
2N7002 ถูกเรียกว่าเป็นแบบ logic-level แต่ที่ 3.3 V มันเป็นสวิตช์ 20 mA: การกระจายตัวของ threshold กินส่วนเผื่อไว้ และ RDS(on) เพิ่มขึ้นประมาณสองเท่า นี่คือการคำนวณ
Read article
การเลือกไดโอด TVS และ ESD: แรงดันสแตนด์ออฟ, แรงดันแคลมป์, ความเร็ว
วิธีเลือกไดโอด TVS หรือ ESD: จับคู่แรงดันสแตนด์ออฟกับรางไฟ จับคู่แรงดันแคลมป์กับค่าสูงสุดสัมบูรณ์ของพิน และจับคู่ความจุกับความเร็วอินเทอร์เฟซ
Read article
การบริหารความร้อนและการตั้งค่ากระแสชาร์จของ TP4056
ตัวต้านทานหนึ่งตัวกำหนดกระแส แต่แรงดันอินพุตและทองแดงเป็นตัวกำหนดอุณหภูมิ การคำนวณ ตารางลดพิกัด และเหตุใด 1 A จึงมักกลายเป็น 0.5 A
Read article
How to Reduce Electronic Component Procurement Costs for EMS Production
The lowest IC unit price doesn't always mean the lowest procurement cost. Discover how EMS and PCBA buyers can evaluate landed costs, MOQ, reel packaging, BOM...
Read article
ตัวต้านทาน Pull-Up ของ I2C: แก้ไขข้อผิดพลาดที่ 100 kHz และ 400 kHz
คำนวณขีดจำกัด pull-up ของ I2C เข้าใจว่าทำไม 4.7 kOhm อาจล้มเหลวที่ 400 kHz และวินิจฉัยปัญหา pull-up ของโมดูลที่ต่อขนานกัน ขอบสัญญาณที่ช้า และข้อผิดพลาดเรื่องโดเมนแรงดัน
Read article
LM358 ทางเลือกทดแทน: ตารางเทียบรุ่น Op-Amp คู่
op-amp คู่ในงานออกแบบต้นทุนต่ำหนึ่งล้านแบบ: ทำไมช่วงอินพุตจึงกว้างกว่าช่วงเอาต์พุต และอะไรจะพังเมื่อคุณสลับเปลี่ยนมัน
Read article
งบความร้อนของ AMS1117: อุณหภูมิจุดต่อที่ 5 V และ 12 V
AMS1117 มีพิกัด 1 A แต่ที่อินพุต 12 V ขีดจำกัดด้านความร้อนจะเกิดขึ้นใกล้ 0.19 A นี่คือการคำนวณ เส้นโค้งการลดพิกัด และวิธีแก้ไข
Read article