293D226X9016B2TE3 - Vishay, CASE-B-3528-21(mm)

ในสต็อก - 30059 สินค้าที่มีจำหน่าย
SKU: 293D226X9016B2TE3-CASE-B-3528-21
ราคาปกติ 9.00 ฿
After you place an order, our sales team will send written confirmation of the final price, shipping charges, and estimated delivery lead time. Import duties, taxes, brokerage fees, and other destination charges are the customer's responsibility. When needed, we can assist with available product information and customs documents for import declaration; final customs clearance and payment remain the customer's responsibility.
Chip-seek customer service team
Customer Service Team Questions about pricing, stock or sourcing? Our team is happy to help. Typically replies within 1 business hour
Upload your BOMSend your bill of materials for a same-day quote.
Order & shipping notice
  • Prices include applicable taxes; import duties and customs clearance are not included.
  • Prefer your own carrier? Choose to use your DHL / FedEx / UPS account at checkout.
  • Genuine & original parts, 12-month warranty, DOA replacement.
  • Volume pricing available for 1,000+ pcs — ask us for a quote.
Quality Certifications
CMA certified CNAS accredited ERAI member ISO 9000

293D226X9016B2TE3

293D226X9016B2TE3 จาก Vishay: ตัวเก็บประจุแทนทาลัมแบบขึ้นรูป 22 µF 16 V 1411 (3528 Metric) 1.9Ohm บรรจุในแพ็กเกจ CASE-B-3528-21(mm)

สต็อกที่มีจำหน่าย: 30059CASE-B-3528-21(mm)ใช้งานอยู่
ผู้ผลิตVishay
แพ็กเกจCASE-B-3528-21(mm)
สต็อก30059
แพ็คมาตรฐาน2000

ราคา & การสั่งซื้อ

ราคาต่อหน่วย$0.2445
จำนวน ราคาต่อหน่วย (USD)
1 $0.2445
2000 $0.2328

ข้อมูลพื้นฐาน

ผู้ผลิต Vishay
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต 293D226X9016B2TE3
หมวดหมู่ Integrated Circuit
แพ็กเกจ CASE-B-3528-21(mm)
MOQ 1
แพ็คมาตรฐาน 2000
สถานะวงจรชีวิต Active

คุณลักษณะทางเทคนิค

ค่าความจุ 22 µF
ค่าความคลาดเคลื่อน ±10%
แรงดันไฟฟ้า - พิกัด 16 V
ประเภท Molded
ESR (ความต้านทานอนุกรมสมมูล) 1.9Ohm
อุณหภูมิการใช้งาน -55°C ~ 125°C
ประเภทการติดตั้ง Surface Mount
แพ็กเกจ / เคส 1411 (3528 Metric)
ขนาด / มิติ 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm)
ความสูง - เมื่อติดตั้ง (สูงสุด) 0.083" (2.11mm)
รหัสขนาดของผู้ผลิต B
คุณสมบัติ General Purpose

เอกสาร

สต็อกสินค้าและราคาได้รับการอัปเดตอย่างสม่ำเสมอ ข้อมูลทางเทคนิคจัดทำเพื่อใช้เป็นข้อมูลอ้างอิงทางวิศวกรรม เอกสารข้อมูลได้มาจากผู้ผลิตต้นฉบับ

Datasheet

Download PDF

MANUFACTURER ACCESS

Manufacturers We Source

Browse frequently requested semiconductor and electronic component manufacturers, then search the catalog or submit an RFQ for the exact part you need.

From the desk

Recent Articles

Market signals, technical notes, and practical sourcing guidance for semiconductor procurement.

View all articles
ตัวเก็บประจุด้านอินพุตของบัค: กระแส RMS, ริปเปิล และการลดพิกัด
Semiconductor insights

ตัวเก็บประจุด้านอินพุตของบัค: กระแส RMS, ริปเปิล และการลดพิกัด

ตัวเก็บประจุอินพุตของบั๊กต้องรองรับกระแสแบบพัลส์ ต้องกำหนดขนาดโดยพิจารณา RMS ริปเปิล และ DC-bias derating ก่อนเลือกชิ้นส่วน

Read article
การเลือกฟิวส์ PPTC: กระแสคงทนและการลดพิกัดตามอุณหภูมิแวดล้อม
Semiconductor insights

การเลือกฟิวส์ PPTC: กระแสคงทนและการลดพิกัดตามอุณหภูมิแวดล้อม

เลือก PPTC ที่อุณหภูมิแวดล้อมสูงสุด ไม่ใช่ที่ 25 C กระแสคงทน (hold current) เวลาทริป (trip time) และแรงดันตก (voltage drop) คือสิ่งที่ใช้ตัดสินใจเลือกชิ้นส่วน

Read article
การเลือก TVS: แรงดันสแตนด์ออฟ, แรงดันแคลมป์, กระแส, คาปาซิแตนซ์
Semiconductor insights

การเลือก TVS: แรงดันสแตนด์ออฟ, แรงดันแคลมป์, กระแส, คาปาซิแตนซ์

TVS ถูกเลือกโดยใช้ตัวเลขสี่ค่าตามลำดับเฉพาะ ได้แก่ ค่า standoff ที่สูงกว่าระดับแรงดันของราง ค่า clamp ที่ต่ำกว่าขีดจำกัดของ IC กระแสพีคที่เพียงพอ และค่าความจุที่เหมาะสมกับสัญญาณ

Read article
EEPROM vs Flash: ความทนทานของรอบการเขียน, ขนาดหน่วยการเขียน, เวลาในการเขียน
Semiconductor insights

EEPROM vs Flash: ความทนทานของรอบการเขียน, ขนาดหน่วยการเขียน, เวลาในการเขียน

ทั้งคู่เก็บข้อมูลได้แม้ไม่มีไฟเลี้ยง การเขียนทีละไบต์เทียบกับการลบทั้งเซกเตอร์ 1M เทียบกับ 100k รอบ และลักษณะภาระงานที่ตัดสินว่าตัวใดเหมาะกับดีไซน์

Read article
ตัวต้านทานเกตและการสูญเสียจากการสวิตช์: ชิ้นส่วนเดียว ผลสองด้าน
Semiconductor insights

ตัวต้านทานเกตและการสูญเสียจากการสวิตช์: ชิ้นส่วนเดียว ผลสองด้าน

Rg ค่าน้อยหมายถึงขอบสัญญาณเร็วและการริง; Rg ค่ามากหมายถึงขอบสัญญาณสะอาดและความร้อน เส้นทางไดโอดแบบแยก ค่าเริ่มต้น และวิธีวัดการสูญเสีย

Read article
คริสตัลหรือออสซิลเลเตอร์: การเลือกแหล่งกำเนิดสัญญาณนาฬิกา
Semiconductor insights

คริสตัลหรือออสซิลเลเตอร์: การเลือกแหล่งกำเนิดสัญญาณนาฬิกา

คริสตัลต้องมีวงจร ส่วนออสซิลเลเตอร์เป็นชิ้นส่วนสำเร็จรูป ระดับความแม่นยำ การเริ่มทำงาน จิตเตอร์ สิ่งที่เปลี่ยนแปลงบนบอร์ด และเมื่อใดที่เรโซเนเตอร์เพียงพอ

Read article
การเลือกตัวเก็บประจุแบบดีคัปปลิง: ไบแอส, SRF, ระยะทาง
Semiconductor insights

การเลือกตัวเก็บประจุแบบดีคัปปลิง: ไบแอส, SRF, ระยะทาง

ตัวเก็บประจุ 10 uF ไม่ได้มีค่า 10 uF เมื่ออยู่ภายใต้แรงดัน และเหนือจุด self-resonance มันจะกลายเป็นตัวเหนี่ยวนำ ไดอิเล็กตริก, DC bias, SRF และมิลลิเมตรที่มีความสำคัญ

Read article