Buck หรือ LDO: การเลือกโทโพโลยีการจ่ายไฟ
ตัวเลขสองค่าตัดสิน: ผลต่างแรงดันคูณกระแส ต่ำกว่า 1 W LDO เรียบง่ายกว่าและเงียบกว่า เหนือกว่านั้นความร้อนไม่มีที่ระบาย
Read articleโหลดความพร้อมในการมารับสินค้าไม่ได้
AON7254 เป็น MOSFET จาก AOS ที่มาในแพ็กเกจ DFN-8(3.3x3.3)
| จำนวน | ราคาต่อหน่วย (USD) |
|---|---|
| 1 | $0.4773 |
| 3000 | $0.4579 |
| ผู้ผลิต | AOS |
|---|---|
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต | AON7254 |
| หมวดหมู่ | MOSFET |
| แพ็กเกจ | DFN-8(3.3x3.3) |
| MOQ | 1 |
| แพ็คมาตรฐาน | 3000 |
| สถานะวงจรชีวิต | Active |
| แรงดันไฟฟ้า(Vdss) | 150V |
|---|---|
| กระแสไฟฟ้า(Id) | 17A |
| (RDS(on)) | 54mΩ@10V |
| (Pd) | 39W |
| แรงดัน(Vgs(th)) | 2.7V |
| (Qg) | 20nC@10V |
| อินพุต (Ciss) | 675pF |
| อินพุต (Crss) | 4pF |
| ประเภท | N |
| อินพุตเอาต์พุต (Coss) | 78pF |
| แรงดันไฟฟ้า(Vgs) | ±20V |
สต็อกสินค้าและราคาได้รับการอัปเดตอย่างสม่ำเสมอ ข้อมูลทางเทคนิคจัดทำเพื่อใช้เป็นข้อมูลอ้างอิงทางวิศวกรรม เอกสารข้อมูลได้มาจากผู้ผลิตต้นฉบับ
MANUFACTURER ACCESS
Browse frequently requested semiconductor and electronic component manufacturers, then search the catalog or submit an RFQ for the exact part you need.
From the desk
Market signals, technical notes, and practical sourcing guidance for semiconductor procurement.
ตัวเลขสองค่าตัดสิน: ผลต่างแรงดันคูณกระแส ต่ำกว่า 1 W LDO เรียบง่ายกว่าและเงียบกว่า เหนือกว่านั้นความร้อนไม่มีที่ระบาย
Read article
TVS ถูกเลือกโดยใช้ตัวเลขสี่ค่าตามลำดับเฉพาะ ได้แก่ ค่า standoff ที่สูงกว่าระดับแรงดันของราง ค่า clamp ที่ต่ำกว่าขีดจำกัดของ IC กระแสพีคที่เพียงพอ และค่าความจุที่เหมาะสมกับสัญญาณ
Read article
ทั้งคู่เก็บข้อมูลได้แม้ไม่มีไฟเลี้ยง การเขียนทีละไบต์เทียบกับการลบทั้งเซกเตอร์ 1M เทียบกับ 100k รอบ และลักษณะภาระงานที่ตัดสินว่าตัวใดเหมาะกับดีไซน์
Read article
Rg ค่าน้อยหมายถึงขอบสัญญาณเร็วและการริง; Rg ค่ามากหมายถึงขอบสัญญาณสะอาดและความร้อน เส้นทางไดโอดแบบแยก ค่าเริ่มต้น และวิธีวัดการสูญเสีย
Read article
คริสตัลต้องมีวงจร ส่วนออสซิลเลเตอร์เป็นชิ้นส่วนสำเร็จรูป ระดับความแม่นยำ การเริ่มทำงาน จิตเตอร์ สิ่งที่เปลี่ยนแปลงบนบอร์ด และเมื่อใดที่เรโซเนเตอร์เพียงพอ
Read article
ตัวเก็บประจุ 10 uF ไม่ได้มีค่า 10 uF เมื่ออยู่ภายใต้แรงดัน และเหนือจุด self-resonance มันจะกลายเป็นตัวเหนี่ยวนำ ไดอิเล็กตริก, DC bias, SRF และมิลลิเมตรที่มีความสำคัญ
Read article
ก่อนที่พิกเซลจะปรากฏ แหล่งสัญญาณต้องมี HPD และ EDID โดย Lanes, AC coupling, DDC/AUX และความล้มเหลวของ sideband เป็นสาเหตุเบื้องหลังรายงานไม่มีสัญญาณส่วนใหญ่
Read article
ตัวเลือก MOSFET ส่วนใหญ่ล้มเหลวที่ตัวเลขตัวที่สองหรือตัวที่สาม ไม่ว่าจะเป็นระยะเผื่อแรงดัน ความต้านทานขณะเปิดที่แรงขับเกตจริงของคุณ ประจุเกต และเส้นทางการระบายความร้อนของแพ็กเกจ
Read article