24LC1025T-I/SM - Microchip Technology Bộ nhớ (IC)

Còn hàng
Giá thông thường 61.000₫
Giảm giá theo số lượng
QuantityUnit Price
1+2₫
10+2₫
30+2₫
100+1₫
500+1₫
1000+1₫
Sau khi bạn đặt hàng, đội ngũ bán hàng của chúng tôi sẽ gửi văn bản xác nhận về giá cuối cùng, phí vận chuyển và thời gian giao hàng ước tính. Thuế nhập khẩu, thuế, phí môi giới và các khoản phí đích khác là trách nhiệm của khách hàng. Khi cần, chúng tôi có thể hỗ trợ thông tin sản phẩm có sẵn và hồ sơ hải quan để khai báo nhập khẩu; thủ tục hải quan cuối cùng và thanh toán vẫn là trách nhiệm của khách hàng.

Mạch tích hợp

24LC1025T-I/SM

2.5V~5.5V 1Mbit 400kHz I2C SOIC-8-208mil Bộ nhớ (ICs) RoHS

Còn hàng SOIC-8-208mil bình thường
Đơn giá$2.1502
Còn hàng
Nhà sản xuấtMICROCHIP
GóiSOIC-8-208mil
Tồn kho808
GóiBăng & Cuộn (TR)

Thông tin cơ bản

Nhà sản xuất MICROCHIP
Mã số bộ phận của nhà sản xuất 24LC1025T-I/SM
Mô tả 2.5V~5.5V 1Mbit 400kHz I2C SOIC-8-208mil Bộ nhớ (ICs) RoHS
Danh mục IC Bộ nhớ (ICs)
Gói SOIC-8
Đóng gói Băng & Cuộn (TR)
Số lượng đóng gói tiêu chuẩn 2100
Tồn kho khả dụng 808
Tình trạng còn hàng Còn hàng
Trạng thái vòng đời bình thường

Thông số kỹ thuật chính

Điện áp - Nguồn cấp 2.5V~5.5V
Dung lượng bộ nhớ 1Mbit
Nhiệt độ hoạt động -40℃~+85℃
Tần số xung nhịp 400kHz
Thời gian truy cập 900ns
Tính năng Chức năng khử nhiễu;Chức năng bảo vệ ghi phần cứng
Thời gian lưu dữ liệu - TDR (Năm) 200 Năm

Thuộc tính kỹ thuật

Dòng điện - Nguồn cấp 5mA
Thời gian chu kỳ ghi (tWC) 5ms
Dòng điện nguồn chờ 5uA
Độ bền chu kỳ ghi 1,000,000 chu kỳ
Giao diện I2C

Tài liệu & Tài nguyên Kỹ thuật

Tồn kho, thời gian giao hàng và giá cả được cập nhật thường xuyên. Dữ liệu kỹ thuật được cung cấp để tham khảo cho kỹ thuật.

Datasheet PDF

Open PDF

MANUFACTURER ACCESS

Manufacturers We Source

Browse frequently requested semiconductor and electronic component manufacturers, then search the catalog or submit an RFQ for the exact part you need.

From the desk

Recent Articles

Market signals, technical notes, and practical sourcing guidance for semiconductor procurement.

View all articles