Si2308BDS-T1-GE3 - Vishay 60V N-kanal MOSFET

In stock
SKU: SI2308BDS-T1-GE3-SOT-23-3
Regular price 3,00 kr
Når du har afgivet en ordre, sender vores salgsteam en skriftlig bekræftelse på den endelige pris, forsendelsesomkostninger og forventet leveringstid. Importafgifter, skatter, mæglergebyrer og andre destinationsafgifter er kundens ansvar. Når det er nødvendigt, kan vi hjælpe med tilgængelig produktinformation og tolddokumenter til importangivelse; endelig toldbehandling og betaling forbliver kundens ansvar.

Si2308BDS-T1-GE3

60V N-kanal TrenchFET-effektMOSFET til batteriskift og DC-DC-konvertering i SOT-23-kapsel.

Tilgængelig lagerbeholdning: 1590SOT-23-3 (TO-236)Udgået
ProducentVishay Siliconix
KapselSOT-23-3 (TO-236)
Lager1590
Første tilbudte mængde10 pcs

Priser & bestilling

Stykpris (USD)$0.43
Antal Angivet enhedspris (USD)
10+ $0.4275
100+ $0.3947
500+ $0.3782
1000+ $0.3683
2000+ $0.3618

Produktinformation

Producentens varenummer Si2308BDS-T1-GE3
Kapsel SOT-23-3 (TO-236)
Livscyklusstatus Udgået
Producent Vishay Siliconix
FET-type N-kanal
Drain-source-spænding (maks.) 60 V
Gate-source-spænding (maks.) +/-20 V
On-state-modstand (maks.) 156 mOhm ved VGS=10 V, ID=1.9 A
Junctiontemperatur ved drift -55 til +150 °C
Monteringstype Overflademonteret
Ordreforøgelse 1 stk.
Leverandørens minimumspakke 1 stk.
Datokode 22+
Leverandørens leveringstid 7-9 hverdage
Leverandørtilbud opdateret 2026-10-17

Datablad

Datasheet PDF

Open PDF

MANUFACTURER ACCESS

Manufacturers We Source

Browse frequently requested semiconductor and electronic component manufacturers, then search the catalog or submit an RFQ for the exact part you need.

From the desk

Recent Articles

Market signals, technical notes, and practical sourcing guidance for semiconductor procurement.

View all articles