ISL6613ECB SOIC(EP) package
ISL6613ECB SOIC(EP) package
Renesas Electronics

ISL6613ECB - Renesas Electronics HF-integrierte Schaltkreise

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SKU: ISL6613ECB-SOIC-EP
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ISL6613ECB

26ns 2 10.8V 10ns 13.2V Nicht invertierender MOSFET, N 18ns 1.25A, 2A SOIC(EP) Oberflächenmontage 4.98mm*3.99mm*1.55mm

Verfügbarer Bestand: 302SOIC(EP)Obsolet
HerstellerRenesas Electronics
GehäuseSOIC(EP)
Bestand302
Standardverpackung1

Preise & Bestellung

Stückpreis$0.8705

Grundlegende Informationen

Hersteller Renesas Electronics
Hersteller-Teilenummer ISL6613ECB
IC-Kategorie Integrierte RF-Schaltkreise
Gehäuse SOIC(EP)
Lebenszyklusstatus Obsolet

Technische Eigenschaften

Programmierbar Nicht verifiziert
Ansteuerungskonfiguration Halbrücke
Kanaltyp Synchron
Anzahl der Treiber 2
Gate-Typ MOSFET (N-Kanal)
Spannung - Versorgung 10.8V ~ 13.2V
Logikspannung - VIL, VIH -
Strom - Spitzenausgang (Quelle, Senke) 1.25A, 2A
Eingangstyp Nicht invertierend
High-Side-Spannung - Max. (Bootstrap) 36 V
Anstiegs-/Abfallzeit (typ.) 26ns, 18ns
Betriebstemperatur 0 degC ~ 125 degC (TJ)
Montageart Oberflächenmontage
Gehäuse / Package 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Lieferanten-Gerätegehäuse 8-SOIC-EP

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