Si2308BDS-T1-GE3 SOT-23-3 (TO-236) package
Si2308BDS-T1-GE3 SOT-23-3 (TO-236) package
VISHAY

Si2308BDS-T1-GE3 - Vishay 60V N-kanava-MOSFET

In stock
SKU: SI2308BDS-T1-GE3-SOT-23-3
(0)
€0,95
Kun olet tehnyt tilauksen, myyntitiimimme lähettää kirjallisen vahvistuksen lopullisesta hinnasta, toimituskuluista ja arvioidusta toimitusajasta. Tuontitullit, verot, välityspalkkiot ja muut kohdemaksut ovat asiakkaan vastuulla. Autamme tarvittaessa saatavilla olevien tuotetietojen ja tuonti-ilmoitusten tulliasiakirjojen kanssa; Lopputullaus ja maksu jäävät asiakkaan vastuulle.

Si2308BDS-T1-GE3

60 V N-kanavainen TrenchFET-tehomosfet akun kytkentään ja DC-DC-muunnokseen SOT-23-kotelossa.

Varastossa: 1590SOT-23-3 (TO-236)Poistunut tuotannosta
ValmistajaVishay Siliconix
KoteloSOT-23-3 (TO-236)
Varasto1590
Ensimmäinen tarjottu määrä10 pcs

Hinnoittelu & tilaus

Yksikköhinta (USD)$0.43
Määrä Tarjottu yksikköhinta (USD)
10+ $0.4275
100+ $0.3947
500+ $0.3782
1000+ $0.3683
2000+ $0.3618

Tuotetiedot

Valmistajan osanumero Si2308BDS-T1-GE3
Kotelo SOT-23-3 (TO-236)
Elinkaaren tila Poistunut tuotannosta
Valmistaja Vishay Siliconix
FET-tyyppi N-kanava
Nielu-lähdejännite (max) 60 V
Hila-lähdejännite (max) +/-20 V
Päälläolovastus (max) 156 mOhm, kun VGS=10 V, ID=1.9 A
Liitoksen käyttölämpötila -55 … +150 °C
Asennustyyppi Pintaliitosasennus
Tilauksen lisäys 1 pcs
Toimittajan vähimmäispakkaus 1 pcs
Päivämääräkoodi 22+
Toimittajan toimitusaika 7-9 arkipäivää
Toimittajan tarjous päivitetty 2026-10-17

Datalehti

Si2308BDS-T1-GE3-tietolomake (PDF)

Datasheet PDF

Open PDF

MANUFACTURER ACCESS

Manufacturers We Source

Browse frequently requested semiconductor and electronic component manufacturers, then search the catalog or submit an RFQ for the exact part you need.

Manufacturer names and logos are used for product identification and navigation. Their display does not imply authorization, affiliation or endorsement. Availability is confirmed per quotation.

From the desk

Recent Articles

Market signals, technical notes, and practical sourcing guidance for semiconductor procurement.

View all articles