Why compare here
Compare density, speed grade, organization, interface, refresh requirements, and power.
Memory
DRAM & SRAM
memory dram sram
1105
catalog products
Category overview
Dynamic and static RAM devices for high-speed working memory and buffering.
Common applications
Processors, FPGAs, networking, displays, industrial control, and data acquisition.
Selection guide
Confirm memory organization, speed, voltage, timing, refresh, temperature, and package compatibility.
กรองหมวดหมู่นี้
Cypress Semiconductor
CY14B104L-BA45XI-FBGA
CY14B104L-BA45XI - Cypress Semiconductor วงจรรวมหน่วยความจำ
Infineon Technologies
CY14B104LA-BA25XIT-BGA
CY14B104LA-BA25XIT - Infineon Technologies วงจรรวมหน่วยความจำ
Cypress Semiconductor
CY14B104LA-ZS45XIT-TSOP-44
CY14B104LA-ZS45XIT - Cypress Semiconductor วงจรรวมหน่วยความจำ
Cypress Semiconductor
CY14B104N-BA20XC-FBGA
CY14B104N-BA20XC - Cypress Semiconductor วงจรรวมหน่วยความจำ
Cypress Semiconductor
CY14B104N-BA45XC-48-TFBGA
CY14B104N-BA45XC - Cypress Semiconductor วงจรรวมหน่วยความจำ
Cypress Semiconductor
CY14B104N-ZS45XI-TSOP-44
CY14B104N-ZS45XI - Cypress Semiconductor วงจรรวมหน่วยความจำ
Infineon Technologies
CY14B104NA-BA20XI-FBGA
CY14B104NA-BA20XI - Infineon Technologies วงจรรวมหน่วยความจำ
Infineon Technologies
CY14B104NA-BA25XIT-FBGA
CY14B104NA-BA25XIT - Infineon Technologies วงจรรวมหน่วยความจำ
Infineon Technologies
CY14B104NA-BA45XE-BGA
CY14B104NA-BA45XE - Infineon Technologies วงจรรวมหน่วยความจำ
Infineon Technologies
CY14B104NA-BA45XIT-BGA
CY14B104NA-BA45XIT - Infineon Technologies วงจรรวมหน่วยความจำ
Infineon Technologies
CY14B104NA-ZS25XET-SOP
CY14B104NA-ZS25XET - Infineon Technologies วงจรรวมหน่วยความจำ
Cypress Semiconductor
CY14B104NA-ZS45XIT-TSOP-44
CY14B104NA-ZS45XIT - Cypress Semiconductor วงจรรวมหน่วยความจำ
Infineon Technologies
CY14B108K-ZS25XIT-SOP
CY14B108K-ZS25XIT - Infineon Technologies วงจรรวมหน่วยความจำ
Infineon Technologies
CY14B108K-ZS45XIT-SOP
CY14B108K-ZS45XIT - Infineon Technologies วงจรรวมหน่วยความจำ
Infineon Technologies
CY14B108L-ZS25XIT-SOP
CY14B108L-ZS25XIT - Infineon Technologies วงจรรวมหน่วยความจำ
Infineon Technologies
CY14B108M-ZSP45XI-TSOP-54
CY14B108M-ZSP45XI - Infineon Technologies วงจรรวมหน่วยความจำ
Infineon Technologies
CY14B108N-BA25XIT-BGA
CY14B108N-BA25XIT - Infineon Technologies วงจรรวมหน่วยความจำ
Infineon Technologies
CY14B108N-BA45XI-FBGA
CY14B108N-BA45XI - Infineon Technologies วงจรรวมหน่วยความจำ
Infineon Technologies
CY14B108N-BA45XIT-FBGA
CY14B108N-BA45XIT - Infineon Technologies วงจรรวมหน่วยความจำ
Infineon Technologies
CY14B116L-ZS25XIT-SOP
CY14B116L-ZS25XIT - Infineon Technologies วงจรรวมหน่วยความจำ
From the desk
Recent Articles
Market signals, technical notes, and practical sourcing guidance for semiconductor procurement.
การจัดวาง W25Q32 SPI: การดีคัปปลิง ความยาวเส้นทาง และความล้มเหลวในการอ่าน
ทำไม W25Q32 จึงทำงานที่ 1 MHz ได้แต่ล้มเหลวที่ 50: ระยะห่างของตัวเก็บประจุ, SCK ความยาว 40 mm ที่ขอบสัญญาณ 1 ns และพิน /HOLD ที่ลอยอยู่ซึ่งเป็นสาเหตุเบื้องหลังรายงาน MISO แบบเงียบส่วนใหญ่
Read article
เลย์เอาต์ ESD ของ USBLC6: เส้นทางแคลมป์, การสติตช์กราวด์, สตับ
TVS clamp ที่ 31 V แต่เส้นทาง PCB ยาว 10 mm เพิ่มแรงดัน 240 V การวางตำแหน่งและเส้นทางกลับ ไม่ใช่หมายเลขอะไหล่ เป็นตัวกำหนดว่า IC จะรอดจาก ESD หรือไม่
Read article
การขับเกตของ 2N7002 ที่ 3.3 V: การกระจายของแรงดันขีดเริ่มและ RDS(on)
2N7002 ถูกเรียกว่าเป็นแบบ logic-level แต่ที่ 3.3 V มันเป็นสวิตช์ 20 mA: การกระจายตัวของ threshold กินส่วนเผื่อไว้ และ RDS(on) เพิ่มขึ้นประมาณสองเท่า นี่คือการคำนวณ
Read article
การเลือกไดโอด TVS และ ESD: แรงดันสแตนด์ออฟ, แรงดันแคลมป์, ความเร็ว
วิธีเลือกไดโอด TVS หรือ ESD: จับคู่แรงดันสแตนด์ออฟกับรางไฟ จับคู่แรงดันแคลมป์กับค่าสูงสุดสัมบูรณ์ของพิน และจับคู่ความจุกับความเร็วอินเทอร์เฟซ
Read article
การบริหารความร้อนและการตั้งค่ากระแสชาร์จของ TP4056
ตัวต้านทานหนึ่งตัวกำหนดกระแส แต่แรงดันอินพุตและทองแดงเป็นตัวกำหนดอุณหภูมิ การคำนวณ ตารางลดพิกัด และเหตุใด 1 A จึงมักกลายเป็น 0.5 A
Read article
How to Reduce Electronic Component Procurement Costs for EMS Production
The lowest IC unit price doesn't always mean the lowest procurement cost. Discover how EMS and PCBA buyers can evaluate landed costs, MOQ, reel packaging, BOM...
Read article
ตัวต้านทาน Pull-Up ของ I2C: แก้ไขข้อผิดพลาดที่ 100 kHz และ 400 kHz
คำนวณขีดจำกัด pull-up ของ I2C เข้าใจว่าทำไม 4.7 kOhm อาจล้มเหลวที่ 400 kHz และวินิจฉัยปัญหา pull-up ของโมดูลที่ต่อขนานกัน ขอบสัญญาณที่ช้า และข้อผิดพลาดเรื่องโดเมนแรงดัน
Read article
LM358 ทางเลือกทดแทน: ตารางเทียบรุ่น Op-Amp คู่
op-amp คู่ในงานออกแบบต้นทุนต่ำหนึ่งล้านแบบ: ทำไมช่วงอินพุตจึงกว้างกว่าช่วงเอาต์พุต และอะไรจะพังเมื่อคุณสลับเปลี่ยนมัน
Read article