BHWM257 - BHW Technologies วงจรรวม RF

ในสต็อก
SKU: BHWM257
ราคาปกติ 43.00 ฿
หลังจากที่คุณสั่งซื้อ ทีมขายของเราจะส่งการยืนยันเป็นลายลักษณ์อักษรเกี่ยวกับราคาสุดท้าย ค่าจัดส่ง และระยะเวลาในการจัดส่งโดยประมาณ อากรขาเข้า ภาษี ค่าธรรมเนียมนายหน้า และค่าธรรมเนียมปลายทางอื่นๆ เป็นความรับผิดชอบของลูกค้า เมื่อจำเป็น เราสามารถช่วยเหลือเกี่ยวกับข้อมูลผลิตภัณฑ์และเอกสารศุลกากรสำหรับการสำแดงการนำเข้า พิธีการศุลกากรขั้นสุดท้ายและการชำระเงินยังคงเป็นความรับผิดชอบของลูกค้า

Datasheet

View Datasheet

BHWM257

Bluetooth,Zigbee แบบติดตั้งบนพื้นผิว

สต็อกที่มีอยู่: 6000แพ็กเกจ ICใช้งานอยู่
ผู้ผลิตBHW Technologies
แพ็กเกจแพ็กเกจ IC
สต็อก6000
แพ็กมาตรฐาน1

ราคา & การสั่งซื้อ

ราคาต่อหน่วย$1.2371

ข้อมูลพื้นฐาน

ผู้ผลิต BHW Technologies
หมายเลขอะไหล่ของผู้ผลิต BHWM257
หมวดหมู่ IC วงจรรวม RF
แพ็กเกจ แพ็กเกจ IC
สถานะวงจรชีวิต ใช้งานอยู่

คุณลักษณะทางเทคนิค

ประเภท RF Bluetooth, Zigbee
ความถี่ 2.4GHz ~ 2.5GHz
คุณสมบัติ แรงดันไฟฟ้าจ่าย 2.7V
แพ็กเกจ / เคส แผ่นระบายความร้อนแบบเปิด 8-WFDFN
แพ็กเกจอุปกรณ์ของผู้จำหน่าย 8-DFN (2x2)

สต็อกและราคาได้รับการอัปเดตเป็นประจำ ข้อมูลทางเทคนิคมีไว้เพื่ออ้างอิงทางวิศวกรรม

Datasheet PDF

Open PDF

MANUFACTURER ACCESS

Manufacturers We Source

Browse frequently requested semiconductor and electronic component manufacturers, then search the catalog or submit an RFQ for the exact part you need.

From the desk

Recent Articles

Market signals, technical notes, and practical sourcing guidance for semiconductor procurement.

View all articles
การจัดวาง W25Q32 SPI: การดีคัปปลิง ความยาวเส้นทาง และความล้มเหลวในการอ่าน
Semiconductor insights

การจัดวาง W25Q32 SPI: การดีคัปปลิง ความยาวเส้นทาง และความล้มเหลวในการอ่าน

ทำไม W25Q32 จึงทำงานที่ 1 MHz ได้แต่ล้มเหลวที่ 50: ระยะห่างของตัวเก็บประจุ, SCK ความยาว 40 mm ที่ขอบสัญญาณ 1 ns และพิน /HOLD ที่ลอยอยู่ซึ่งเป็นสาเหตุเบื้องหลังรายงาน MISO แบบเงียบส่วนใหญ่

Read article
เลย์เอาต์ ESD ของ USBLC6: เส้นทางแคลมป์, การสติตช์กราวด์, สตับ
Semiconductor insights

เลย์เอาต์ ESD ของ USBLC6: เส้นทางแคลมป์, การสติตช์กราวด์, สตับ

TVS clamp ที่ 31 V แต่เส้นทาง PCB ยาว 10 mm เพิ่มแรงดัน 240 V การวางตำแหน่งและเส้นทางกลับ ไม่ใช่หมายเลขอะไหล่ เป็นตัวกำหนดว่า IC จะรอดจาก ESD หรือไม่

Read article
การขับเกตของ 2N7002 ที่ 3.3 V: การกระจายของแรงดันขีดเริ่มและ RDS(on)
Semiconductor insights

การขับเกตของ 2N7002 ที่ 3.3 V: การกระจายของแรงดันขีดเริ่มและ RDS(on)

2N7002 ถูกเรียกว่าเป็นแบบ logic-level แต่ที่ 3.3 V มันเป็นสวิตช์ 20 mA: การกระจายตัวของ threshold กินส่วนเผื่อไว้ และ RDS(on) เพิ่มขึ้นประมาณสองเท่า นี่คือการคำนวณ

Read article
การเลือกไดโอด TVS และ ESD: แรงดันสแตนด์ออฟ, แรงดันแคลมป์, ความเร็ว
Semiconductor insights

การเลือกไดโอด TVS และ ESD: แรงดันสแตนด์ออฟ, แรงดันแคลมป์, ความเร็ว

วิธีเลือกไดโอด TVS หรือ ESD: จับคู่แรงดันสแตนด์ออฟกับรางไฟ จับคู่แรงดันแคลมป์กับค่าสูงสุดสัมบูรณ์ของพิน และจับคู่ความจุกับความเร็วอินเทอร์เฟซ

Read article
การบริหารความร้อนและการตั้งค่ากระแสชาร์จของ TP4056
Semiconductor insights

การบริหารความร้อนและการตั้งค่ากระแสชาร์จของ TP4056

ตัวต้านทานหนึ่งตัวกำหนดกระแส แต่แรงดันอินพุตและทองแดงเป็นตัวกำหนดอุณหภูมิ การคำนวณ ตารางลดพิกัด และเหตุใด 1 A จึงมักกลายเป็น 0.5 A

Read article
ตัวต้านทาน Pull-Up ของ I2C: แก้ไขข้อผิดพลาดที่ 100 kHz และ 400 kHz
Semiconductor insights

ตัวต้านทาน Pull-Up ของ I2C: แก้ไขข้อผิดพลาดที่ 100 kHz และ 400 kHz

คำนวณขีดจำกัด pull-up ของ I2C เข้าใจว่าทำไม 4.7 kOhm อาจล้มเหลวที่ 400 kHz และวินิจฉัยปัญหา pull-up ของโมดูลที่ต่อขนานกัน ขอบสัญญาณที่ช้า และข้อผิดพลาดเรื่องโดเมนแรงดัน

Read article