CY14B101Q2-LHXIT - Infineon Technologies Memory IC

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SKU: CY14B101Q2-LHXIT
Regular price €12,95
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CY14B101Q2-LHXIT

NVRAM NVSRAM Serial-SPI 1Mbit 3V 8-Pin DFN EP T/R

BestellbarIC-GehäuseAktiv
HerstellerInfineon Technologies
GehäuseIC-Gehäuse
BestandBestellbar
Standardverpackung2500

Preise & Bestellung

Stückpreis$13.3222
Lieferzeit: ca. 8 Wochen

Grundlegende Informationen

Hersteller Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer CY14B101Q2-LHXIT
IC-Kategorie Integrierte Speicherschaltkreise
Gehäuse IC-Gehäuse
Lebenszyklusstatus Aktiv

Technische Attribute

Programmierbar Nicht verifiziert
Speichertyp Nicht flüchtig
Speicherformat NVSRAM
Technologie NVSRAM (nicht flüchtiges SRAM)
Speichergröße 1Mbit
Speicherorganisation 128K x 8
Speicherschnittstelle SPI
Taktfrequenz 40 MHz
Schreibzykluszeit – Wort, Seite -
Spannung – Versorgung 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur -40 degC ~ 85 degC (TA)
Montageart Oberflächenmontage
Gehäuse / Package 8-WDFN Exposed Pad
Gehäuse des Lieferanten 8-DFN (5x6)

Dokumente & Engineering-Ressourcen

Bestand und Preise werden regelmäßig aktualisiert. Technische Daten dienen als Referenz für die Entwicklung.

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