Couldn't load pickup availability
SI2302DDS-T1-GE3 von Vishay: N-Kanal 20 V 2.9A (Tj) 710mW (Ta) Oberflächenmontage SOT-23-3 (TO-236). Geliefert im SOT-23-Gehäuse.
| Menge | Stückpreis (USD) |
|---|---|
| 1 | $0.0493 |
| 3000 | $0.0437 |
| Hersteller | Vishay |
|---|---|
| Herstellerteilenummer | SI2302DDS-T1-GE3 |
| Kategorie | MOSFET |
| Gehäuse | SOT-23 |
| MOQ | 1 |
| Standardverpackung | 3000 |
| Lebenszyklusstatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
|---|---|
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V |
| Strom - kontinuierlicher Drainstrom (Id) bei 25 °C | 2.9A (Tj) |
| Ansteuerspannung (max. Rds On, min. Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (max.) bei Id, Vgs | 57mOhm @ 3.6A, 4.5V |
| Vgs(th) (max.) bei Id | 850mV @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (max.) bei Vgs | 5.5 nC @ 4.5 V |
| Vgs (max.) | ±8V |
| Verlustleistung (max.) | 710mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart | Surface Mount |
| Gehäuse des Lieferanten | SOT-23-3 (TO-236) |
| Gehäuse / Bauform | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Lagerbestand und Preise werden regelmäßig aktualisiert. Technische Daten dienen als Referenz für die Entwicklung. Das Datenblatt stammt vom Originalhersteller.
MANUFACTURER ACCESS
Browse frequently requested semiconductor and electronic component manufacturers, then search the catalog or submit an RFQ for the exact part you need.
From the desk
Market signals, technical notes, and practical sourcing guidance for semiconductor procurement.
Ein TVS wird anhand von vier Zahlen in einer bestimmten Reihenfolge ausgewählt. Standoff-Spannung über der Versorgungsschiene, Klemmspannung unter dem IC-Grenzwert, ausreichender Spitzenstrom und eine Kapazität, die...
Read article
Beide halten Daten ohne Stromversorgung. Byte-Schreibvorgänge gegenüber Sektorlöschung, 1M gegenüber 100k Zyklen und die Arbeitslast, die entscheidet, welche in das Design gehört.
Read article
Kleines Rg bedeutet schnelle Flanken und Ringing; großes Rg bedeutet saubere Flanken und Wärme. Der geteilte Diodenpfad, Startwerte und wie man den Verlust misst.
Read article
Ein Quarz braucht eine Schaltung; ein Oszillator ist ein Bauteil. Genauigkeitsklassen, Anlaufverhalten, Jitter, was sich auf der Platine ändert und wann ein Resonator ausreicht.
Read article
Ein 10-uF-Kondensator hat unter Spannung nicht 10 uF, und oberhalb der Selbstresonanz ist er eine Induktivität. Dielektrikum, DC-Bias, SRF und die Millimeter, auf die es ankommt.
Read article
Bevor Pixel ankommen, benötigt die Quelle HPD und EDID. Lanes, AC-Kopplung, DDC/AUX und die Sideband-Fehler, die hinter den meisten No-Signal-Meldungen stecken.
Read article
Die meisten MOSFET-Auswahlen scheitern an der zweiten oder dritten Kennzahl. Spannungsreserve, Einschaltwiderstand bei Ihrer tatsächlichen Gate-Ansteuerung, Gate-Ladung und der thermische Pfad des Gehäuses.
Read article
Eine Änderungsmitteilung ist eine Frist. Wie Sie klassifizieren, was sie betrifft, über eine Requalifizierung entscheiden, den Last-Time-Buy dimensionieren und eine Dokumentation führen, die das nächste Audit...
Read article
