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60-V-N-Kanal-TrenchFET-Leistungs-MOSFET für Batterieumschaltung und DC-DC-Wandlung im SOT-23-Gehäuse.
| Menge | Angebotener Stückpreis (USD) |
|---|---|
| 10+ | $0.4275 |
| 100+ | $0.3947 |
| 500+ | $0.3782 |
| 1000+ | $0.3683 |
| 2000+ | $0.3618 |
| Herstellerteilenummer | Si2308BDS-T1-GE3 |
|---|---|
| Gehäuse | SOT-23-3 (TO-236) |
| Lebenszyklusstatus | Obsolet |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| FET-Typ | N-Kanal |
| Drain-Source-Spannung (max.) | 60 V |
| Gate-Source-Spannung (max.) | +/-20 V |
| Einschaltwiderstand (max.) | 156 mOhm bei VGS=10 V, ID=1.9 A |
| Betriebs-Sperrschichttemperatur | -55 bis +150 °C |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Bestellinkrement | 1 pcs |
| Mindestpackmenge des Lieferanten | 1 pcs |
| Datumscode | 22+ |
| Lieferzeit des Lieferanten | 7-9 Werktage |
| Lieferantenangebot aktualisiert | 2026-10-17 |
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