K4UBE3D4AB-MGCL - SAMSUNG Memoria (CI)

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Circuito Integrado

K4UBE3D4AB-MGCL

32Gbit 570mV~650mV 2.133GHz LPDDR4X SDRAM FBGA-200 Memoria (CI) RoHS

En Stock FBGA-200 normal
Precio Unitario$85.1301
En Stock
FabricanteSAMSUNG
PaqueteFBGA-200
Stock383
EmpaqueBandeja

Información Básica

Fabricante SAMSUNG
Número de Parte del Fabricante K4UBE3D4AB-MGCL
Descripción 32Gbit 570mV~650mV 2.133GHz LPDDR4X SDRAM FBGA-200 Memoria (CI) RoHS
Categoría de CI Memoria (CI)
Paquete FBGA-200
Empaque Bandeja
Cantidad de Empaque Estándar 20
Stock Disponible 383
Disponibilidad En Stock
Estado del Ciclo de Vida normal

Especificaciones Clave

Corriente de Refresco -
Tamaño de Memoria 32Gbit
Voltaje - Suministro 570mV~650mV
Temperatura de operación -25℃~+85℃
Frecuencia de Reloj 2.133GHz
Características Auto self-refresh;Auto precharge function;Write leveling function;Asynchronous reset function;Data mask function;ZQ calibration function
Formato de Memoria LPDDR4X SDRAM

Atributos Técnicos

Corriente - Suministro -

Documentos y Recursos de Ingeniería

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