Si2308BDS-T1-GE3 SOT-23-3 (TO-236) package
Si2308BDS-T1-GE3 SOT-23-3 (TO-236) package
VISHAY

Si2308BDS-T1-GE3 - Vishay MOSFET de canal N de 60V

En stock
SKU: SI2308BDS-T1-GE3-SOT-23-3
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$ 9.00
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Si2308BDS-T1-GE3

MOSFET de potencia TrenchFET de canal N de 60V para conmutación de baterías y conversión DC-DC en encapsulado SOT-23.

Existencias disponibles: 1590SOT-23-3 (TO-236)Obsoleto
FabricanteVishay Siliconix
EncapsuladoSOT-23-3 (TO-236)
Existencias1590
Primera cantidad cotizada10 pcs

Precios y pedidos

Precio unitario (USD)$0.43
Cantidad Precio unitario cotizado (USD)
10+ $0.4275
100+ $0.3947
500+ $0.3782
1000+ $0.3683
2000+ $0.3618

Información del producto

Número de pieza del fabricante Si2308BDS-T1-GE3
Encapsulado SOT-23-3 (TO-236)
Estado del ciclo de vida Obsoleto
Fabricante Vishay Siliconix
Tipo de FET Canal N
Tensión drenador-fuente (máx.) 60 V
Tensión puerta-fuente (máx.) +/-20 V
Resistencia en estado de conducción (máx.) 156 mOhm a VGS=10 V, ID=1.9 A
Temperatura de unión de funcionamiento -55 a +150 °C
Tipo de montaje Montaje superficial
Incremento de pedido 1 pcs
Paquete mínimo del proveedor 1 pcs
Código de fecha 22+
Plazo de entrega del proveedor 7-9 días hábiles
Cotización de proveedor actualizada 2026-10-17

Hoja de datos

Hoja de datos de Si2308BDS-T1-GE3 (PDF)

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