GD5F1GM7UEYIGR - GigaDevice Semicon Beijing Mémoire (CI)

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Circuit intégré

GD5F1GM7UEYIGR

1Gbit 2.7V~3.6V 133MHz SPI WSON8(6x8) Mémoire (CI) RoHS

En stock WSON8(6x8) normal
Prix unitaire$5.9765
En stock
FabricantGigaDevice Semicon Beijing
BoîtierWSON8(6x8)
Stock195
ConditionnementTape & Reel (TR)

Informations de base

Fabricant GigaDevice Semicon Beijing
Référence fabricant GD5F1GM7UEYIGR
Description 1Gbit 2.7V~3.6V 133MHz SPI WSON8(6x8) Mémoire (CI) RoHS
Catégorie de CI Mémoire (CI)
Boîtier WSON8(6x8)
Conditionnement Tape & Reel (TR)
Quantité par conditionnement standard 3000
Stock disponible 195
Disponibilité En stock
Statut du cycle de vie normal

Spécifications clés

Taille mémoire 1Gbit
Tension - Alimentation 2.7V~3.6V
Température de fonctionnement -40℃~+85℃
Cycles de programmation / effacement 80,000 cycles
Fréquence d'horloge 133MHz
Caractéristiques Fonction de tampon de lecture;Fonction d'écriture par recopie;Verrou d'autorisation d'écriture;Fonction de réinitialisation logicielle;Fonction de gestion des blocs défectueux;Fonction de protection logicielle en écriture;Fonction de protection matérielle en écriture;Fonction de correction d'erreur ECC;Fonction de protection et de verrouillage en écriture de la zone OTP
Rétention des données - TDR (années) 10 ans

Attributs techniques

Temps d'effacement de bloc (tBE) 3ms
Temps de cycle d'écriture (tWC) -
Temps de programmation de page (Tpp) 320us
Interface SPI
Courant d'alimentation en veille 50uA

Documents & Ressources d'ingénierie

Les stocks, les délais de livraison et les prix sont mis à jour régulièrement. Les données techniques sont fournies à titre de référence pour l'ingénierie.

Datasheet PDF

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