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Market signals, technical notes, and practical sourcing guidance for semiconductor procurement.
TVS選定:スタンドオフ電圧、クランプ電圧、電流、静電容量
TVSは4つの数値を特定の順序で選定します。スタンドオフはレールより高く、クランプはICの限界より低く、十分なピーク電流、そして信号に適合する静電容量です。
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EEPROM vs Flash:耐久性、粒度、書き込み時間
どちらも電源なしでデータを保持します。バイト単位の書き込みかセクタ消去か、1M回か100k回のサイクルか、そしてどちらを設計に採用するかを決めるワークロードです。
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ゲート抵抗とスイッチング損失:1つの部品、2つの効果
小さいRgは高速エッジとリンギングを意味し、大きいRgはクリーンなエッジと発熱を意味します。分割ダイオード経路、初期値、および損失の測定方法。
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デカップリングコンデンサの選定:バイアス、SRF、距離
10 uFのコンデンサは電圧印加時に10 uFではなく、自己共振周波数を超えるとインダクタになる。誘電体、DCバイアス、SRF、そして重要となるミリメートル。
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HDMIとDisplayPort:実践的な入門
ピクセルに至る前に、ソースには HPD と EDID が必要です。Lanes、AC coupling、DDC/AUX、および大半の無信号報告の背景にある sideband 障害。
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MOSFETの選択:VDS、RDS(on)、Qg、熱
ほとんどのMOSFET選定は、2番目または3番目の数値でつまずきます。電圧マージン、実際のゲート駆動時のオン抵抗、ゲート電荷、そしてパッケージの熱経路です。
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